您好,欢迎访问三七文档
当前位置:首页 > 行业资料 > 能源与动力工程 > 第一章半导体器件的基础知识
第1页共12页第一章半导体器件的基础知识一、填空题1、自然界中的物质按着导电能力分为、、三类。2、半导体的导电能力会随着、、、和的变化而发生变化。3、半导体材料主要有和两种。4、半导体中的载流子是和。5、主要靠导电的半导体称为N型半导体,主要靠导电的半导体称为P型半导体。6、经过特殊工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面,称为结。7、PN结的特性是。8、半导体二极管的符号是。9、PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN结的。10、二极管的核心部分是一个,具有特性。11、半导体二极管又称。它是由,从P区引出的极和从N区引出的极以及将他们封装起来的组成。12、由于管芯结构不同,二极管又分为、、。13、二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定,这两者之间的关系称为二极管的。用于定量描述这两者关系的曲线称为。14、当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时,开始时,正向电流很小,几乎为零,二极管呈现很大电阻。通常把这个范围称为,相应的电压称为。15、硅二极管的死区电压约为;锗二极管的死区电压约为。16、硅二极管管的导通电压约为,锗二极管管的导通电压约为,17、加在二极管的反向电压不断增大,当达到一定数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为,相应的电压称为。18、半导体二极管的主要参数有、。19、半导体三极管的核心是。20、半导体三极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域:、和。由这三个区引出三个电极为:、和。分别用字母、和。其中区相对较薄。第2页共12页21、半导体三极管中,通常将发射极与基极之间的PN结称为;集电极与基极之间的PN结称为。22、由于半导体基片材料不同,三极管可分为型和型两大类。23、半导体三极管常采用、和封装。24、半导体三极管按功率分有和;按工作频率分有和;按管芯所用半导体材料分有和;按结构工艺分有和;按用途分有和。25、三极管各个电极上电流的分配关系是。26、在半导体三极管中,基极电流IB的微小变化控制了集电极电流较大的变化,这就是三极管的原理。27、要使三极管起到电流放大作用,必须保证发射结加电压,集电结加电压。28、三极管三种基本连接方式是、、。29、三极管的三种工作状态是、、。30、三极管工作在截止区的条件为;三极管工作在放大区的条件为三极管工作在饱和区的条件为31、在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状管称为。32、在一个封装内包含有两只三极管的新型器件,称为。33、半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件,称为。场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件,称为。34、根据结构和工作原理不同,场效晶体管可分为和两大类。35、结型场效晶体管的电路符号为、,它有三个电极为、、。36、在本征半导体中掺入微量的杂质,就会使半导体导电能力显著地。37、本征半导体中自由电子和空穴的数目是。38、穿透电流越大,则三极管性能越。39、晶体三极管属于控制型器件,场效晶体管属于控制型器件。40、场效晶体管有三个电极分别为、和。二、判断题1、PN结接触面积大,载流量大,适合于大电流场合使用。()2、在半导体内部,只有电子是载流子。()3、二极管和三极管是非线性元件。()第3页共12页4、电子技术中的线性与非线性指的电压与电流是否成正比例关系。()5、理想二极管正向电阻是零,反向电阻无穷大。()6、三极管的三个电极可以调换使用。()7、硅二极管和锗二极管正向导通分压相等。()8、三极管就是两个二极管反接构成。()9、二极管的伏安特性曲线和三极管的特性曲线相同。()11、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。()12、二极管具有单向导电性。()13、三极管无论工作在何种工作状态,电流IE=IB+IC=(1+)IB()14、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结,因此可以用两个背靠背连接的二极管替换。()15、晶体二极管击穿后立即烧毁。()16、三极管是一种电流控制器件。()17、二极管两端加上0.7V的电压就能导通。()18、二极管的正向电阻比反向电阻大。()19、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。()20、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的。()21、三极管的发射区和集电区是由同一半导体构成的。()22、本征半导体中空穴是多数载流子。()23、硅材料制成的三极管,当处于放大工作状态时,C极电位总是高于E极电位。()24、三极管处于放大状态时具有恒流特性。()25、三极管处于饱和状态时,其集电极电流Ic不受基极电流Ib的控制。()三、选择题1.在三极管的输出特性曲线族中,每条曲线与()对应。A、IEB、UBEC、IBD、UCE2.在N型半导体中()。A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有自由电子3.掺入五价杂质元素的半导体是()。A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体4.如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压UCE<1V,则它处于()。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态5.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()。A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管6.稳压二极管稳压时,其工作在()。第4页共12页A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区7.NPN型三极管处在放大状态时是()A.UBE0,UBC0B.UBE0,UBC0C.UBE0,UBC0D.UBE0,UBC08、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V,VB=0.7V,VE=1V则晶体管工作在()状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏9、三级管开作在放大区,要求()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏10、一只NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V,VE=3V,VB=3.7V,则该管工作在()A.饱和区B.截止区C.放大区D.击穿区11、三极管参数为PCM=800mW,ICM=100mA,UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。A.UCE=15V,IC=150mAB.UCE=20V,IC=80mAC.UCE=35V,IC=100mAD.UCE=10V,IC=50mA12、下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是()AVC=0.3V,VE=0V,VB=0.7VBVC=-4V,VE=-7.4V,VB=-6.7VCVC=6V,VE=0V,VB=-3VDVC=2V,VE=2V,VB=2.7V13、如果三极管工作在截止区,两个PN结状态()A.均为正偏B.均为反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏14、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V,VB=0.7V,VE=1V则晶体管工作在()状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏15、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。A.83B.91C.100D、5016、工作于放大状态的PNP管,各电极必须满足()A.UCUBUEB。UCUBUEC。UBUCUED。UCUEUB第5页共12页17、二极管具有()A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性D、负阻特性18、二极管两端加正向电压时()A、立即导通B、超过击穿电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过死区电压就导通19、如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管()A、特性良好B、已被击穿C、内部开路D、功能正常20、下列元器件中,()可将电信号转变成光信号。A、二极管B、三极管C、发光二极管D、光电二极管21、开关三极管一般的工作状态是()。A.截止B.放大C.饱和D.截止或饱和22、三极管的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态分别是()。A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.放大或截止23、如图示,试判断工作在饱和状态的管子()。24、二极管加正向电压时,其正向电流()A、较小B、较大C、微小D、无电流25、二极管的正极电位是—10V,负极电位是—5V,则该二极管处于()A、零偏B、反偏C、正偏D、没反应26、测得电路中三极管各电极相对于地的电位如图所示,从而可判断出该三极管工作在()A、饱和状态B、放大状态C、导致状态D、截止状态27、某三极管工作在放大状态,其引脚电位如图所示,则该三极管是()A、PNP型硅管B、NPN型硅管+7.5V-8V+7.1V+5V+3.2V(a)+3.5V-3V-2.3V(b)+6.9V+4V(c)+5V0V(d)4.3V5V4.6vVV第6页共12页C、PNP型锗管D、NPN型锗管5V5.7V1V28、由理想二极管组成的电路中,它们的输出电压为()A、UR=0B、UR=8vC、UR=4VD、UR=1v29、如下图所示,二极管为硅管,工作于正常导通状态的是()30、某同学用万用表测量一电子线路中得晶体管,测得VE=-3V,VCE=6V,VBC=--5.4V,则该管是()A、PNP型处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态31、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、无法判断32、晶体二极管的正极电位是—10V,负极电位是—5V、则该晶体二极管处于()A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿33、当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时,该晶体二极管相当于()A、小阻值电路B、组织很大的电路第7页共12页C、内部短路D、内部击穿34、晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管所处的状态是()A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态35、场效应管的主要特点是()A、输入电阻高B、输入电阻小C、噪声大D、耗电大36、结型场效晶体管的输入电阻为()A、几十欧姆B、可达1015欧姆C、107~108欧姆D、阻值不确定37、当温度升高时,PN结的导通电压将()A、变大B、变小C、不变D、可能变大也可能变小38、场效应管三个电极中,G表示的电极称为()A、控制极B、漏极C、源极D、栅极39、晶体三极管内部由()个PN结构成。A、一个B、二个C、三个D、多个40、某三极管的a脚流入电流为3mA,b脚流出电流为0.05mA,c脚流出电流为2.95mA,则各脚名称及管型为()A、a脚为E极,b脚为B极,c脚为C极且为NPN型B、a脚为C极,b脚为E极,c脚为B极且为PNP型C、a脚为E极,b脚为B极,c脚为C极且为PNP型D、a脚为E极,b脚为C极,c脚为B极且为NPN型41、下题图1-1所示电路中,设D为理想二极管,UAO=()D1D24K4.5V9VAO题图1-1A、UAO=0V,B、UAO=-4.5VC、UAO=9V,D、UAO=4.5V四、简答题1、场效晶体管与三极管相比有哪些特点?第8页共12页2、什么是PN结?PN结有什么特性?3、为什么说二极管是一种非线性器件?什么是二极管的伏安特性?4、为什么二极管可以当做一个开关使用?画图说明。5、选用二极管时主要考虑哪些参数?这些参数有什么意义?6、简述三极管的内部基本结构和各区的特点?7、三极管三种工作状态的条件是什么?处于放大状态PNP和NPN两种三极管的电位关系是什么样的?8、给你一个二极管和一块万用表,怎样判断二极管两个电极?9、三极管有哪三种工作状态?各有什么特点?10、三极管的电流放大原理。11、三极管三种基本连接方式及其图示。五、计算题1、已知某三极管的交流放大系数ß=100,当ΙB=20微安时,ΙC=2毫安,若把ΙB调到40微安,则ΙC应为多少?第9页共12页2、已知电力如下图示:为理想二极管,试分析:①二极管导通还是截止?②UA0=?(4分)3、判断图示三极管的工作状态。4、已知两只三极管的电流放大系数分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电
本文标题:第一章半导体器件的基础知识
链接地址:https://www.777doc.com/doc-6903878 .html